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新闻1：GeForce RTX 2080 Ti SUPER流言四起：
4608个CUDA核心配上16GHz的显存？
虽然NVIDIA官方之前确认说不会有GeForce RTX 2080 Ti SUPER了，但是仍然有小道消息指出NVIDIA可能会在未来发布这张卡。之前准确爆料过一系列GeForce产品的@kopite7kimi昨天发了条Tweet，指出RTX 2080 Ti SUPER可能会有4608个CUDA核心，并且会搭配上16Gbps的显存。
我们先来看一下现在的RTX 2080 Ti的规格，它使用的是不完整的TU102核心，有4352个CUDA核心，比完整版要少4组SM单元，另外它的显存位宽也被砍成了11组32-bit的宽度，为352-bit，显存工作在14GHz的等效频率上面。
而比RTX 2080 Ti更高一级的Titan RTX则是使用了完整的TU102核心，并且使用了完整的显存控制器，位宽达到384-bit，显存大小也直接翻倍达到24GB。
如果爆料准确的话，我们将看到一张使用完整TU102核心的GeForce RTX 2080 Ti SUPER，而它的显存频率也将提升到等效16GHz的高度，这样一来即使它的显存位宽没有发生变化，它也将拥有704GB/s的显存带宽，超过了Titan RTX的672GB/s，但是显存大小应该会仍然限制在11GB以保持与Titan RTX之间的差距。
那么问题来了，传闻中的RTX 2080 Ti SUPER将会使用和Titan RTX一样的完整版TU102核心，而它的显存带宽将会更高，到目前为止游戏还很难吃干净11GB的显存，所以显存容量暂时不会是显卡性能的瓶颈，所以这么看来新的RTX 2080 Ti的游戏性能将会比Titan RTX更高一些？很难说NVIDIA会让这样的事情发生。
另外还有其他的传言指出NVIDIA可能将会在CES 2020上面发布这张卡。
RTX 2080Ti Super将达到4608个CUDA核心？？这已经是完整TU102的规格了…和Titan RTX一致，NVIDIA真的是疯起来自己都打吗？当然差距还是有的，Titan RTX的显存带宽是完整的384bit，而2080ti为352bit，不过这个差距可能要被1.7Ghz的显存频率给补齐…而且按照以前的消息，2080ti super将可能会使用12G显存补全带宽，这样一来Titan RTX的优势就只有显存容量了吧……
新闻2：AMD RX 5500公版设计、性能首曝
AMD早在10月初就宣布了新一代主流显卡RX 5500系列，包括桌面版和移动版，但时至今日，只有移动版出现在了苹果新款MacBook Pro笔记本中，但桌面版始终没有踪影。今天，外媒曝光了RX 5500显卡的公版造型，短小精悍，中部一个大号风扇，两个HDMI和一个DisplayPort输出接口，但具体频率规格不详。
不过注意，这款卡并非零售版本，而是来自一台惠普台机的OEM版本。未来玩家们在市场上买到的，按惯例都会是非公版。
根据此前泄露的疑似官方资料，RX 5500基于Navi 14核心，拥有22个计算单元、1408个流处理器，核心频率桌面版游戏1670MHz、加速1845MHz，移动版游戏1448MHz、加速1645MHz(基准频率没提)，搭配128-bit 4/8GB GDDR6显存，等效频率14GHz，带宽224GB/s，典型功耗桌面版110W、移动版85W，需要单8针辅助供电。
外媒也同步放出了RX 5500 OEM版的性能跑分，3DMark和游戏性能落后RX 580超频版大约5-10％，后期发布的超频非公版有望基本持平，同时负载功耗仅为133W，降低了足有35％，待机功耗也降至7W。
AMD给RX 5500制定的对手是GTX 1650，加强后或可与GTX 1650 Super一战，不过对比超频版的GTX 1660还是有一些差距，游戏性能落后大约15％，功耗基本持平。
原定11月份发布的RX5500可能是要咕咕咕到12月了，不过我们依旧可以通过OEM渠道提前看到它们。目前来看，RX5500性能要弱于RX580，突然明白宣传时AMD为什么说强于480而不是580了。但是相对的，接近580的性能，110W的功耗，RDNA架构确实在能耗比上有不小的提升，这也解决了以前AMD显卡一个致命的痛点——你功耗高。
新闻3：SK海力士128层4D NAND本月向伙伴送样，预计明年下半年大量出货
SK海力士早就在6月份就宣布正式量产128层堆叠的4DNAND闪存，成为全球首家量产128层闪存的厂家，不过海力士的这个4D NAND本质上其实也是3D NAND，它是把NAND闪存Cell单元的PUC（Peri Under Cell）电路从之前的位置挪到了底部，所以叫了4D NAND闪存，本质上其实还是3D NAND，4D NAND闪存有很强的商业营销味道。
现在SK海力士宣布在这个月正式向客户交付128层4D NAND的工程样品，全部都是TB级的高密度解决方案，包括手机所用的1TB UFS 3.1闪存，消费级的2TB SSD和企业级的16TB E1.L规格SSD，SK海力士的128层4D NAND的Die Size是1Tb，所以可以做到很大的容量，是业内存储密度最高的TLC闪存。
现在1T存储空间的手机需要使用两颗512GB的UFS闪存，在SK海力士的1TB UFS 3.1闪存出货后闪存用量就能减少一半，节约更多的手机主板空间，而这颗1TB的闪存封装厚度仅1mm，是未来超薄5G手机的绝佳选择，预计搭配这款闪存的手机有望在明年下半年量产，而搭载128层堆叠4D NAND的2TB消费级SSD和16TB的E1.L规格的企业级SSD也预计会在明年下半年量产。
单颗1TB？？不得不说海力士确实有点东西，我们都知道大容量是储存类产品未来的发展潮流，固态硬盘也不例外。但目前最高端的2280规格 Nvme固态也只能做到2T，这其实就是受限于单颗颗粒的容量。而海力士的新颗粒可以将这个上限提升一倍，达到4T！4T Nvme与两条2T可不同，对于玩家来说主板的M.2插槽就属于不可再生资源，单条容量越大！未来扩展潜力越强！海力士真的是带来了一个大大的惊喜！
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